TrEOS二极管为更强劲的USB4TM数据传输提供行业领先的插入损耗和回波损耗特性

奈梅亨，2021年10月21日：基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款PESD5V0R1BxSF器件，即具有极低钳位和电容的双向静电放电（ESD）保护二极管。该器件采用Nexperia TrEOS的主动可控硅整流技术的技术，可确保笔记本电脑和外围设备、智能手机及其他便携式电子设备上的USB4TM（高达2 x 20 Gbps）数据线拥有最佳信号完整性。

（企业供图，下同）

Nexperia高级产品经理Stefan Seider说道：“因为USB4TM超高速线路的插入损耗和回波损耗预算有限，所以Nexperia提供尽可能降低ESD保护对总预算影响的器件，希望为设计工程师提供支持。通过提供这两种器件选型，工程师可以在ESD电压钳位（保护级别）和RF性能之间找到平衡。”

PESD5V0R1BDSF针对低钳位进行了优化，并且能提供极低的插入损耗和回波损耗，在10 GHz时分别为0．28 dB和19 dB。另一方面，PESD5V0R1BCSF针对RF性能进行了优化，其插入损耗和回波损耗在10 GHz时分别为－0．25 dB和－19．4 dB。这使其成为插入损耗和回波损耗预算更为有限的应用的理想选择。

两种器件都采用超低电感DSN0603－2 （SOD962－2）无铅引脚封装，管脚尺寸为标准的0．6 mm x 0．3 mm、厚度为0．3 mm并且具有优化回波损耗的焊盘。对于USB4TM，接收器（Rx）输入也必须具有交流耦合电容。PESD5V0R1BxSF器件的额定电压VRWM（＞2．8 V）允许其可以直接放置在连接器后面，这是在保护电路的电容与实现出色的系统级ESD性能的首选位置。这个额定电压使其能向下兼容通过USB Type－C®连接的所有标准。其中包括USB4TM、USB 3．2、旧版USB3．x以及ThunderboltTM和HDMI2．1®（HDMI®交替模式）数据线，支持高达48 Gbps （4 x 12）的HDMI2．1数据速率和高达40 Gbps （2 x 20）的ThunderboltTM数据速率。同时，TrEOS技术能够确保极低的ESD钳位电压以保护敏感的收发器。